Izdelki

Preučevali smo z dušikom dopirano nanoogljikovo filmsko elektrodo s koncentracijo dušika, nižjo od 10,9 at%, oblikovano z metodo neuravnoteženega magnetronskega razprševanja (UBM).Vsebnost sp(3) v z dušikom dopiranem nanoogljikovem filmu UBM z razprševanjem (film N-UBM) rahlo narašča z naraščajočo koncentracijo dušika.Grafitu podobna vez, ki vsebuje dušik, se zmanjša, piridinu podobna vez pa poveča z naraščajočo koncentracijo dušika.Film N-UBM ima zelo gladko površino s povprečno hrapavostjo od 0,1 do 0,3 nm, ki je skoraj neodvisna od koncentracije dušika.Filmska elektroda N-UBM kaže širše potencialno okno (4,1 V) kot filmska elektroda s čistim UBM (3,9 V) zaradi rahlega povečanja vsebnosti sp(3).Elektrokatalitična aktivnost se je povečala z naraščajočo koncentracijo dušika, kar kaže, da je elektroaktivnost največja, ko je koncentracija dušika okoli 10,9 at%, kar potrjuje ločitev vrhov Fe(CN)6(4-).Redukcijski potenciali vodikovega peroksida (H2O2) na filmski elektrodi N-UBM so se premaknili za približno 0,1 V, vrh toka H2O2 pa se je povečal za približno 4-krat.